用于制造半导体器件的方法和电子器件

摘要

本发明的一个目的是一种用于制造半导体器件的方法，通过它能去除当蚀刻导电层时形成的反应产品。根据本发明用于制造半导体器件的方法，包括去掉粘附到导电层以在垂直方向上延伸的的反应产品步骤，以使得反应产品在等离子体放电激活的活性物质加速的方向上的厚度很薄。应当注意到当蚀刻导电层时制造反应产品。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤：在衬底上形成导电层；在导电层上形成掩模；通过利用掩模的第一蚀刻来构图导电层，其中因第一蚀刻产生的反应产物粘附到已构图的导电层的至少一个侧壁上，以及反应产物的一部分粘附到掩模的侧壁上；使用液体组成物进行处理，以去除掩模，其中反应产物的所述一部分留下，并且反应产物的所述一部分倒下；和通过利用氧气和卤素气体作为处理气体的第二蚀刻去除反应产物的至少倒下的部分。