采用物理气相沉积法制备碲化铋纳米线阵列的方法

摘要

本发明公开了一种采用物理气相沉积法制备碲化铋纳米线阵列的方法，通过调节交流电源输出电流的大小、以及玻璃基板与钨舟的距离，在真空室内，热蒸发碲化铋原料，直接在玻璃基板上沉积出具有碲化铋纳米线阵列结构的薄膜。整个沉积工艺过程简单，成本低廉，易于规模化生产，所得到的碲化铋纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布。

主权项

一种采用物理气相沉积法制备碲化铋纳米线阵列的方法，其特征在于：将粒径5～20μm的碲化铋粉末放入真空镀膜机的真空室(1)的钨舟(2)中，把玻璃基板(3)放置于样品台(4)上，调节玻璃基板(3)与钨舟(2)的距离d＝6～10cm；密封真空室(1)，向真空室(1)内充入2～5min氮气后停止，随后对真空室(1)抽真空，使真空室(1)内真空度达到2.0×10‑3Pa～5.0×10‑5Pa；在真空镀膜机上设定沉积速率0.5～10nm/min，沉积时间5～12h；开启交流电源，调节输出电流165A～175A；开始在玻璃基板(3)上沉积制备碲化铋纳米线阵列薄膜；制备完毕，关闭交流电源，自然冷却至室温后，取出制有碲化铋纳米线阵列薄膜的玻璃基板(3)。