| 发明名称 | 存储元件、存储器装置和半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。 | ||
| 申请公布号 | CN101501849B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200780028882.0 | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 村冈俊作;藤井觉;三谷觉;小佐野浩一 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种存储元件，其特征在于，包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜，该电阻变化膜以与所述第一电极和所述第二电极连接的方式介于两电极之间，该电阻变化膜的电阻值根据两电极之间的电压而改变，所述电阻变化膜包括由Fe3O4构成的层和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层，由所述Fe3O4构成的层形成得厚于由所述Fe2O3或所述尖晶石结构氧化物构成的层，其中，M是除Fe以外的金属元素。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||