一种纳米柱森林的加工方法

摘要

本发明涉及一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗所选用的衬底；2)在衬底的表面上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；3)对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；4)用纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成初始纳米柱；5)在初始纳米柱表面保形沉积薄膜；6)通过各向异性刻蚀薄膜，在初始纳米柱的周围形成侧墙；7)以包裹侧墙的初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成纳米柱；8)去除纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。使用本发明制作的图形化纳米柱森林可广泛应用于新能源器件、生物医学检测器件、微流控器件、电子器件以及纳米压印中。

主权项

一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗所选用的衬底，所述衬底的材料为单晶硅或多晶硅；2)在所述衬底的表面上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；3)对所述光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在所述衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；4)用所述纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀所述衬底，形成初始纳米柱；5)在所述初始纳米柱表面保形沉积薄膜；6)通过各向异性刻蚀所述薄膜，在所述初始纳米柱的周围形成侧墙，所述侧墙材料为二氧化硅、氮化硅或多晶硅；7)以包裹所述侧墙的所述初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀所述衬底，形成纳米柱；8)去除所述纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。