控制刻蚀方法及刻蚀装置的控制装置

摘要

一种控制刻蚀方法，包括：获取同一批生长的薄膜的厚度的平均值；判断平均值是否超出预定范围；若平均值超出预定范围，进行附加刻蚀工艺和标准刻蚀工艺；若在预定范围内，进行标准刻蚀工艺。相应地，本发明还提供一种控制刻蚀装置。本发明通过对同一批生长的薄膜的厚度计算其平均值，对于平均值超出预定范围的该批薄膜在进行标准刻蚀工艺之前或者之后进行附加刻蚀的时候，均采用相同的附加刻蚀的参数，故避免了现有技术的在进行附加刻蚀前对每片半导体衬底上的薄膜进行测试、和调整附加刻蚀的参数步骤，节约了工艺过程，缩短了整个刻蚀过程的时间。

主权项

一种控制刻蚀方法，其特征在于，包括：获取同一批生长的薄膜的厚度的平均值；判断平均值是否超出预定范围；若平均值超出预定范围，进行附加刻蚀工艺和标准刻蚀工艺；所述附加刻蚀工艺包括：根据同一批生长的薄膜厚度的平均值与预定范围的差值确定待刻蚀的量；根据待刻蚀的量确定该批薄膜待刻蚀的时间；根据待刻蚀的时间确定刻蚀制程；进行各向异性刻蚀；若在预定范围内，进行标准刻蚀工艺。