发明名称 一种改善高钨含量Ni-W合金基带立方织构的方法
摘要 本发明属于高温超导涂层导体织构金属基带领域。本发明通过在NiW合金中添加微量的Ag元素,通过Ag的微合金化抑制NiW合金中S元素对立方织构的破坏,从而改善高W含量NiW合金基带的立方织构含量,获得高立方织构含量的金属基带。本发明方法简单易行,所制备的Ni-W合金基带具有良好的表面质量和锐利的立方织构,可以直接外延生长过渡层和超导层;同时在液氮温区无(低)磁性,并具有很高的机械强度,可以满足进一步提高YBCO涂层导体性能的要求。
申请公布号 CN101635187B 申请公布日期 2011.01.12
申请号 CN200910091893.4 申请日期 2009.08.28
申请人 北京工业大学 发明人 高忙忙;索红莉;赵跃;高培阔;祝永华;王建宏;刘敏;马麟
分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;C22C19/03(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22F1/10(2006.01)I 主分类号 H01B13/00(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 沈波
主权项 一种改善高钨含量Ni‑W合金基带立方织构的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在保护气氛中,将纯度为99.99%的Ag粉高能球磨,球磨方式为湿磨,每球磨15min后停5min,有效球磨时间为3~6h,获得粒度小于1um的Ag粉末;2)将Ni粉和W粉按照W原子占Ni和W原子总数的7~9.3%进行混合后,加入步骤1)中球磨后的Ag粉末,并于保护气氛中球磨时间1~4h,得到Ni‑W‑Ag混合粉末;Ni‑W‑Ag混合粉末中Ag粉末的含量为100~1000ppm;3)在N2气保护条件下,将Ni‑W‑Ag混合粉末热等静压烧结制备初始坯锭,烧结温度为1000~1400℃,烧结时间为1~4h,压强为50~200MPa;4)将初始坯锭进行冷轧,道次变形量3~6%,总变形量大于95%,获得冷轧带材;5)在保护气氛中将冷轧带材进行两步退火:首先于600~800℃保温30~60min后,升温至1100~1400℃保温0.5~3h,得到高钨含量Ni‑W合金基带;上述所述的保护气氛为Ar与H2的混合气体,混合气体中,H2的体积百分比为4%。
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