| 发明名称 | 刻蚀方法和双镶嵌结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀方法，包括步骤：提供衬底，且在所述衬底上具有介质层；在所述介质层上定义刻蚀图形；利用第一刻蚀气体对所述介质层进行第一刻蚀；利用第二刻蚀气体对所述介质层进行第二刻蚀，且所述第二刻蚀气体产生的聚合物少于第一刻蚀气体。本发明还公开了一种对应的双镶嵌结构的形成方法，采用本发明的刻蚀方法和双镶嵌结构形成方法可以改善现有的刻蚀方法中均匀性、一致性较差的现象，提高刻蚀图形及双镶嵌结构的形成质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101459074B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200710094541.5 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙武;王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 董立闽;李丽 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，且在所述衬底上具有介质层；在所述介质层上定义刻蚀图形，所述介质层为黑钻石层；利用第一刻蚀气体对所述介质层进行第一刻蚀；利用第二刻蚀气体对所述介质层进行第二刻蚀，且所述第二刻蚀气体产生的聚合物少于第一刻蚀气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||