发明名称 |
薄膜太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池,其结构为:衬底层/背电极层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P+层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N+层/TCO层。本实用新型薄膜太阳能电池的非晶硅P-I-N结层厚度设计合理,近红外光谱能量能够被铜铟镓硒P-N结层充分吸收,因此薄膜太阳能电池的功率大大提高。另外,在非晶硅P-I-N结层的P型非晶硅层和N型非晶硅层外分别设置了极薄而重掺杂的P+层和N+层,加强了I型非晶硅层中的电场强度,提高了太阳能电池的功率。本实用新型薄膜太阳能电池所产生的功率较目前同类型双结层结构的太阳能电池平均提高约1.5%。本实用新型太阳能电池还具有可靠性高和制造价格低等优点。 |
申请公布号 |
CN201708170U |
申请公布日期 |
2011.01.12 |
申请号 |
CN201020270941.4 |
申请日期 |
2010.07.26 |
申请人 |
河南阿格斯新能源有限公司 |
发明人 |
赵一辉;贺方涓 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 |
代理人 |
陈浩 |
主权项 |
一种薄膜太阳能电池,包括衬底层、设置在衬底层上的背电极层、TCO层和设置在背电极层与TCO层之间的太阳能电池模组,其特征在于:所述太阳能电池模组包括一个铜铟镓硒P N结层和一个非晶硅P I N结层,所述铜铟镓硒P N结层的P型铜铟镓硒薄膜层设置于背电极层上,所述铜铟镓硒P N结层的N型铜铟镓硒缓冲层与所述非晶硅P I N结层的P型非晶硅层之间设置有重掺杂的P+层,所述非晶硅P I N结层的N型非晶硅层与所述TCO层之间设置有重掺杂的N+层,该太阳能电池的结构为:衬底层/背电极层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P+层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/ N+层/TCO层。 |
地址 |
450001 河南省郑州市高新区合欢街81号 |