| 发明名称 | 半导体器件的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的刻蚀方法，该方法包括：在绝缘层上涂布光阻胶层；曝光显影图案化所述光阻胶层；采用稀有气体氩(Ar)和氧气(O2)去除光阻胶开口底部的光阻胶残渣；对绝缘层进行刻蚀，并去除光阻胶。采用该方法解决了由于显影不足带来的残渣(Scumming)问题，使得半导体器件的刻蚀达到目标值，大大提高了器件的产品合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN101944503A | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200910054439.1 | 申请日期 | 2009.07.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;孙武;张世谋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件的刻蚀方法，该方法包括：在绝缘层上涂布光阻胶层；曝光显影图案化所述光阻胶层；采用稀有气体氩Ar和氧气O2去除光阻胶开口底部的光阻胶残渣；对绝缘层进行刻蚀，并去除光阻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||