发明名称 真空溅射镀膜设备
摘要 本实用新型公开了一种真空溅射镀膜设备,涉及真空溅射镀膜设备技术领域,特别是涉及对真空溅射镀膜设备中连接管的结构改造。包括真空测量装置、箱体、真空腔体,箱体内包裹有真空腔体,其特征在于:还包括连接管,所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接,所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。所述真空测量装置可以为真空计。本实用新型解决了现有技术真空溅射镀膜设备中,与真空测量装置连接的连接管为水平结构,靶材溅射时,中性的靶原子(或分子)容易通过连接管沉积于真空测量装置中的问题,本实用新型提供了一种新型连接管,在连接管上设计一个弯头结构、延长了管道,使飞溅的靶原子(或分子)不能直接沉积于真空测量装置中。
申请公布号 CN201704398U 申请公布日期 2011.01.12
申请号 CN201020186334.X 申请日期 2010.05.11
申请人 赫得纳米科技(昆山)有限公司 发明人 黄国兴
分类号 C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 董建林
主权项 一种真空溅射镀膜设备,包括真空测量装置、箱体、真空腔体,箱体内包裹有真空腔体,其特征在于:还包括连接管,所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接,所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。
地址 215300 江苏省昆山市城北都市路21号