非晶硅薄膜太阳电池膜系及其薄膜太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种非晶硅薄膜太阳电池膜系和一种薄膜太阳电池，该膜系包括一个由第一非晶硅p-i-n结和第二非晶硅p-i-n结重叠设置的双结层p-i-n/p-i-n，所述第二非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层设置于所述第一非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上，所述第一非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P+层，所述第二非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上设置有重掺杂的N+层，该膜系结构为P+/p-i-n/p-i-n/N+。重掺杂的P+层和N+层有减低带电体复合性和滞留性的作用，同时因减低i层中电场的扭曲度而增加了电洞与电子在半导体中的漂移速度。本实用新型非晶硅薄膜太阳电池的膜系光电转换率高，成本低，本实用新型制得的薄膜太阳电池的光电转换率达7.5％。

主权项

一种非晶硅薄膜太阳电池膜系，其特征在于，该膜系包括一个由第一非晶硅p i n结和第二非晶硅p i n结重叠设置的双结层p i n/p i n，所述第二非晶硅p i n结的p型非晶硅层设置于所述第一非晶硅p i n结的n型非晶硅层上，所述第一非晶硅p i n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P+层，所述第二非晶硅p i n结的n型非晶硅层上设置有重掺杂的N+层，该膜系结构为P+/p i n/p i n/N+。