发明名称 一种制备多晶硅的方法
摘要 本发明提供一种多晶硅的制备方法,包括步骤:a)将包括甲硅烷的含硅气体和包括氢气的辅助气体混合得到第一混合气体;b)将所述第一混合气体在200℃~400℃的条件下预热;c)将预热后的第一混合气体送入反应器中进行热解反应,所述热解反应的产物沉积到设置在反应器内的多个硅棒上得到多晶硅,所述反应器内的硅棒在第一混合气体送入反应器之前被预热至200℃~400℃。与现有技术相比,预热后的混合气体送入反应器后,硅棒达到热解温度的速度变快,因此可以提高热解反应速度。此外,混合气体经过预热后再进行热解反应时,由于硅棒升温平缓,因此不但提高了硅棒之间的沉积均匀性,也有利于改善每个硅棒沉积的不均匀性。
申请公布号 CN101555012B 申请公布日期 2011.01.12
申请号 CN200910140420.9 申请日期 2009.05.08
申请人 六九硅业有限公司 发明人 张月和;薛明;贾兵;蔡春立;王伟
分类号 C01B33/029(2006.01)I 主分类号 C01B33/029(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明
主权项 一种多晶硅的制备方法,包括步骤:a)将氢气和甲硅烷在静态混合器内混合得到第一混合气体;b)将所述第一混合气体连续送入十二路预热器进行预热,预热温度为260℃;c)将预热后的第一混合气体送入反应器中进行热解反应,所述热解反应的产物沉积到设置在反应器内的多个硅棒上得到多晶硅,在所述硅棒周围设置有加热套,所述反应器内的硅棒在第一混合气体送入反应器之前被预热至260℃;调整所述甲硅烷和氢气的混合比例按质量流量比在1∶0.2~1∶3的范围内调节,使所述第一混合气体供气速率在85Kg/hr~95Kg/hr的范围内调节;热解反应时,反应器内的压力为0.2MPa,所述硅棒通过电阻加热器被加热至900℃,同时保持所述加热套的温度在260℃。
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