分割光电二极管

摘要

在本发明的一个实施例中，所述分割光电二极管包括p型衬底、在p型衬底上形成的p型外延层、在p型外延层上形成的n型外延层，并且在与所述p型外延层分隔的所述n型外延层中提供p型分割区，该p型分割区分割光敏区，并且被构造成通过施加反向偏置电压使位于p型分割区和p型外延层之间的分割部分正下方的n型区中生成的耗尽层(第一耗尽层)被构造成到达n型外延层和p型外延层之间的结表面中所形成的耗尽层(第二耗尽层)使得所述光敏区被电隔离。

主权项

一种分割光电二极管，具有能够接收光的光敏区，所述光敏区被二维分割成多个区域，该分割光电二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一半导体层，其形成在所述衬底上；第二导电类型的第二半导体层，其形成在所述第一半导体层上；和所述第一导电类型的分割部分，其设置在所述第二半导体层中，与所述第一半导体层相隔开，以提供所述光敏区的分割，其中，通过施加反向偏置电压，在所述分割部分下方的所述第二半导体层中生成第一耗尽层，其中，所述第一耗尽层被构造成到达在所述第二半导体层和所述第一半导体层之间的结表面中形成的第二耗尽层，以使得所述光敏区被电隔离，其中，所述第二半导体层是外延层，以及其中所述分割部分与所述第二半导体层接触。