| 发明名称 | 磁场强度可调的溅射磁控管装置 | ||
| 摘要 | 披露一种溅射磁控管装置，包括磁场发生器(1)和目标体(4)，所述目标体(4)与所述磁场发生器(1)相关联。所述磁场发生器(1)包括磁性有源元件(5-9)和调整装置(20-25)，所述调整装置(20-25)适合于局部地变形或偏斜所述磁性有源元件(5-9)，以致改变所述磁场发生器(1)的至少一部分相对于所述目标体(4)的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN1537318B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN02815138.0 | 申请日期 | 2002.04.05 |
| 申请人 | N·V·贝卡特股份有限公司 | 发明人 | W·C·S·德伯舍;J·-P·莱蒙斯;R·布洛齐;G·戈宾;A·G·J·布朗迪尔 |
| 分类号 | H01J37/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种用于从消耗的目标体中释放材料并将该材料沉积到接受衬底上的溅射磁控管装置，其特征在于，所述溅射磁控管装置包括：磁场发生器和与所述磁场发生器相关的目标体，其中，所述磁场发生器包括磁性有源元件和第一调整装置，所述第一调整装置包括一串力激活器件，并适合于局部地变形或偏斜所述磁性有源元件，以改变所述磁性有源元件的至少一部分相对于所述目标体的位置。 | ||
| 地址 | 比利时兹韦弗海姆 | ||