适用于集成电路之半导体晶圆的制作方法

摘要

本发明提供一种适用于集成电路之半导体晶圆的制作方法，其步骤包含有提供一铸锭；对铸锭进行切片，以形成数个晶圆；利用雷射照射晶圆表面，以去除该晶圆表面因切片所产生的锯痕，同时并使晶圆表面的裂缝融合；以及再对晶圆进行后续处理步骤，如泡酸、抛光与检测等步骤。本发明利用雷射的能量聚焦特性，将切片后晶圆表面存在的锯痕(saw mark)移除，同时将切片时因应力产生的微裂痕(micro surface crack)融合(fusion)，使瑕疵层(damage layer)不因后制程泡酸时之蚀刻等向特性而增加，降低晶圆表面厚度所需的移除量，进而提高单一铸锭所能切割成的晶圆数目。

主权项

一种适用于集成电路之半导体晶圆的制作方法，其特征在于：其步骤包含有：提供一铸锭；对该铸锭进行切片，以形成数个晶圆；利用一雷射对该晶圆表面进行照射，以去除该晶圆表面因切片产生的锯痕与使该晶圆表面的微裂痕融合；以及对该晶圆进行泡酸、抛光与检测等步骤。