一种利用MIM电容结构制备非挥发性存储器的方法

摘要

本发明公开了一种利用标准CMOS工艺的MIM电容结构制备非挥发性存储器的方法，属于超大规模集成电路技术领域。本发明首先基于标准CMOS工艺制备MIM电容结构，然后对MIM电容的介质层进行掺杂形成阻变材料层，从而制备得MIM结构的阻变存储器。该方法和标准CMOS工艺完全兼容，没有对CMOS工艺进行任何改变以及增加任何复杂的工艺，通过版图设计就可以实现阻变存储器的制备，降低了成本。

主权项

一种利用MIM电容结构制备阻变存储器的方法，其特征在于，首先用标准CMOS工艺制备MIM电容结构，然后对MIM电容的介质层进行掺杂形成阻变材料层，从而得到MIM结构型的阻变存储器。