发明名称 |
一种可适应多种光源的节能调光集成电路的生产方法 |
摘要 |
本发明公开了一种可适应多种光源的节能调光集成电路的生产方法,包括以下步骤:将整体逻辑按功能分为子逻辑模块,再根据时序流程独立进行逻辑仿真;对触摸输入通道及锁相环部分进行逐级逐器件的物理仿真;末级输出管采用电流灌入结构并加大面积,并使用市电过零检测和锁相环同步触发技术降低可控硅工作时产生的电磁谐波;调整MOS管的开启电压使其工作电压为4~8V;对非阻性的复杂负载进行续流补偿;采用投影光刻和N阱硅栅工艺技术制造得到节能调光集成电路,该生产方法通过采用市电过零检测和锁相环同步触发技术控制可控硅对非阻性的复杂负载调节能力的指标,使电路的直接驱动可控硅范围扩大至16A以上,同时降低了可控硅工作时产生的电磁谐波。 |
申请公布号 |
CN101945518A |
申请公布日期 |
2011.01.12 |
申请号 |
CN201010282346.7 |
申请日期 |
2010.09.16 |
申请人 |
张国鹏;宁波高新区甬晶微电子有限公司 |
发明人 |
张国鹏;李吉君 |
分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
代理机构 |
宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 |
代理人 |
程晓明 |
主权项 |
一种可适应多种光源的节能调光集成电路的生产方法,其特征在于包括以下步骤:①将整体逻辑根据功能划分为若干个子逻辑模块,再根据时序流程,对每个子逻辑模块独立进行逻辑仿真,消除局部冗余逻辑结构;②对触摸输入通道及锁相环部分进行逐级逐器件的物理仿真;③末级输出管采用电流灌入结构,并加大其面积,以使其能够直接驱动触发电流IGT在25mA以下的可控硅,然后使用市电过零检测和锁相环同步触发技术降低可控硅工作时产生的电磁谐波;④采用优化内部偏置电压和降低静态电流积极措施,将该集成电路设计为单电源供电,通过调整MOS晶体管的开启电压,使集成电路实用的工作电压范围为4~8V;⑤对非阻性的复杂负载进行续流补偿;⑥采用无磨损的投影光刻和N阱硅栅工艺技术,制造得到可适应多种光源的节能调光集成电路。 |
地址 |
315040 浙江省宁波市中山东路369号中山首府A座904室 |