| 发明名称 | 光刻设备和制造装置的方法 | ||
| 摘要 | 一种浸渍光刻曝光设备，其中浸渍液体顶部涂层的pH值选择为最大化部分液体供给系统和衬底W彼此相对运动的相对速度而不毁坏在这些部件之间延伸的弯月面。 | ||
| 申请公布号 | CN101055427B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200710096549.5 | 申请日期 | 2007.04.11 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | M·H·A·利德斯;M·里彭;M·A·博斯 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种光刻设备，包括：用于将衬底曝光于穿过浸渍液体的辐射束的浸溃光刻曝光设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸渍液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸渍液体pH值的±2以内。 | ||
| 地址 | 荷兰费尔德霍芬 | ||