电路结构及处理电路结构的方法

摘要

本发明涉及电路结构及处理电路结构的方法。公开了具有PFET和NFET器件的FET器件结构，所述PFET和所述NFET器件具有高k介质栅极绝缘体、包含金属的栅极、以及阈值调整帽层。所述NFET栅极叠层和所述PFET栅极叠层均具有在所述NFET器件中和所述PFET器件中的相同的部分。所述相同的部分包含至少栅极金属层和帽层。由于所述相同的部分，简化了器件制造，需要较少数目的掩模。此外，作为使用单层金属用于两种类型的器件的栅极的结果，NFET和PFET的端电极可以以直接物理接触的方式彼此对接。还通过所述高k介质的氧暴露来调整器件阈值。阈值旨在用于低功耗器件操作。

主权项

一种电路结构，包括：至少一个NFET器件，所述NFET器件包括Si基材料中的n沟道、和覆盖所述n沟道的NFET栅极叠层；至少一个PFET器件，所述PFET器件包括Si基材料中的p沟道、和覆盖所述p沟道的PFET栅极叠层；其中所述NFET栅极叠层和所述PFET栅极叠层均具有在所述NFET器件中和所述PFET器件中的相同的部分，其中所述部分包括至少栅极金属层和帽层，其中所述栅极金属层和所述帽层彼此直接接触；其中所述NFET器件还包括NFET栅极绝缘体，其中所述NFET栅极绝缘体包括第一高k材料层，其中所述第一高k材料层与所述NFET器件中的所述帽层直接接触；其中所述PFET器件还包括PFET栅极绝缘体，其中所述PFET栅极绝缘体包括第二高k材料层，其中所述第二高k材料层与所述PFET器件中的所述帽层直接接触；以及其中所述NFET和所述PFET器件的饱和阈值的绝对值大于0.4V。