| 主权项 |
一种镀膜结构，包含：一基底，其由一含有铜作为主要组份之以铜为基础的材料形成；一镀膜，其由一含有锡作为主要组份之以锡为基础的材料形成且设置于该基底上方；及一锡-铜化合物障壁膜，其位于该基底与该镀膜间之边界处，其中该锡-铜化合物障壁膜的密度大于铜的密度，且该锡-铜化合物障壁膜在该锡-铜化合物障壁膜之几乎整个厚度上系由Cu3Sn所组成。如申请专利范围第1项之镀膜结构，其中该锡-铜化合物障壁膜的厚度系为从0.05微米至3.0微米。如申请专利范围第1项之镀膜结构，其中该镀膜为一无铅镀膜。一种镀膜方法，包含：在一由一含有铜作为主要组份之以铜为基础的材料所形成之基底上方形成一含有锡作为主要组份之第一镀膜；于酸活化后，将一热处理施加至该第一镀膜；及透过该热处理，自该第一镀膜形成一锡-铜化合物障壁膜该锡-铜化合物障壁膜在该锡-铜化合物障壁膜之几乎整个厚度上系由Cu3Sn所组成。如申请专利范围第4项之方法，进一步包含以下步骤：将一热处理以100℃至150℃施加至该第一镀膜。如申请专利范围第4项之方法，其中该第一镀膜的厚度为0.05微米至3.0微米。如申请专利范围第4项之方法，其中该锡-铜化合物障壁膜形成步骤系包括将该第一镀膜的整体大致地改变成该具有大于铜的密度之锡-铜化合物。如申请专利范围第4项之方法，其中该第一镀膜由无电式镀敷形成。如申请专利范围第4项之方法，其中该第二镀膜由无电式镀敷形成。 |
