| 主权项 |
一种抗硫化晶片式电阻，包含：一基板；二电极，分别设置于该基板相反两侧，每一电极具有一连接于该基板顶面的顶面部、一连接于该顶面部与该基板侧缘的侧缘部，以及一连接于该侧缘部与该基板底面的底面部，每一电极的顶面部具有一连接于该侧缘部的第一段，以及一连接于该第一段并远离该侧缘部的第二段；一电阻层，包括一设置于该基板顶面的中央部，以及一由该中央部向四周延伸的延伸部，该延伸部是覆盖遮蔽于所述电极的顶面部的第二段上；以及一保护单元，包括一环绕设置并能局部遮蔽该电阻层与所述电极并能密封所述顶面部的环绕保护层、一设置于该电阻层的中央部顶面并位于该环绕保护层内的中间保护层，以及一设置于该中间保护层上的顶部保护层，该顶部保护层具有一连接于该中间保护层顶面的顶中部，以及一由该顶中部向四周延伸并能局部遮蔽该环绕保护层的顶遮部。根据申请专利范围第1项所述的抗硫化晶片式电阻，其中，该保护单元的中间保护层厚度为30μm。根据申请专利范围第2项所述的抗硫化晶片式电阻，其中，该保护单元的顶部保护层的顶中部厚度为15μm。根据申请专利范围第3项所述的抗硫化晶片式电阻，其中，每一电极还包括一设置于该侧缘部上的镍层，以及一设置于该镍层上的锡层。根据申请专利范围第1至4中任一项所述的抗硫化晶片式电阻，其中，该保护单元的环绕保护层具有一遮蔽于所述电极的顶面部的外围部，以及一连接于该外围部并局部遮蔽于该电阻层上的内围部，所述电极的侧缘部是同向延伸并遮蔽于该环绕保护层外周缘，该环绕保护层与所述电极的侧缘部相配合以封闭所述顶面部。 |
