| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其特征在于包含：在基板上形成电极之步骤；形成用以覆盖前述电极及前述基板之保护膜之步骤，其中该保护膜使前述电极之一部分露出；形成覆盖前述保护膜之整体及前述电极之前述露出部分之树脂层之步骤，其中该树脂层系包含感光性树脂者；在前述树脂层上配置光罩之步骤；藉由对光罩上进行曝光，选择性除去前述树脂层，其结果系使前述树脂层之一部分形成为圆柱状突起之步骤；藉由放射热的加热而熔融前述圆柱状突起，其结果系形成具有半圆状剖面之半球状凸部之步骤；形成覆盖前述电极之前述露出部分及前述半球状凸部之导电材料层之步骤；及藉由将导电材料层图案化而形成导电层之步骤，其中该导电层系与前述电极之前述露出部分电性连接，且到达前述半球状凸部之上面者。如请求项1之制造方法，其中设置复数前述电极，并形成前述半球状凸部，以跨彼此相邻接的前述复数电极，在前述半球状凸部上面对应各前述电极而形成前述导电层，将各前述导电层与所对应的前述电极电性连接。 |
