发明名称 薄膜电晶体阵列基板及其制作方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.01.11
申请号 TW093131921 申请日期 2003.07.22
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 林丽年
分类号 G02F1/1335 主分类号 G02F1/1335
代理机构 代理人 李宏泽 台北市中正区罗斯福路2段100号8楼
主权项 一种薄膜电晶体阵列基板,具有复数个储存电容器,该薄膜电晶体阵列基板包括:一第一金属层,配置在一基材上,该第一金属层包括复数条扫描配线、复数个闸极以及复数个第一储存电容金属层,该些第一储存电容金属层具有复数个第一开口,且各该第一储存电容金属层介于相邻扫描配线间;一绝缘层,覆盖该第一金属层;复数个通道层,配置于该些闸极上方之该绝缘层上;一第二金属层,配置在该基材上,该第二金属层包括复数个源极、复数个汲极、复数条资料配线以及复数个第二储存电容金属层,其中该些源极与该些汲极配置于该些闸极上方之该些通道层两侧,且该些资料配线与该些扫描配线系构成复数个画素区域,而该些第二储存电容金属层与该些第一储存电容金属层系互相重叠,以与该绝缘层组成该些储存电容器,且该些闸极、该些通道层、该些源极以及该些汲极系组成复数个薄膜电晶体;一介电层,配置于该第一金属层、该绝缘层以及该第二金属层上,其中该介电层具有复数个第二开口以及复数个第三开口,而该些第二开口大致暴露出该些第一开口上方的该些第二储存电容金属层、该些第三开口则暴露出该些薄膜电晶体的该些源极;复数个画素电极,配置于该些画素区域中,其中该些画素电极系藉由该些第二开口分别与该些第二储存电容金属层电性连接以及藉由该些第三开口与对应之该些薄膜电晶体之该些源极电性连接;以及复数个彩色滤光薄膜,配置于该些第二开口以外的该些画素区域上。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基板,其中该些彩色滤光薄膜包括红色滤光薄膜、绿色滤光薄膜以及蓝色滤光薄膜。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基板,其中该些第一储存电容金属层包括该些扫描配线。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基板,其中该些第一储存电容金属层包括共用配线。一种薄膜电晶体液晶显示面板,具有复数个储存电容器,该薄膜电晶体液晶显示面板包括:一薄膜电晶体阵列基板,包括:一第一金属层,配置在该薄膜电晶体阵列基板上,该第一金属层包括复数条扫描配线、复数个闸极以及复数个第一储存电容金属层,该些第一储存电容金属层具有复数个第一开口,且各该第一储存电容金属层介于相邻扫描配线间;一绝缘层,覆盖该第一金属层;复数个通道层,配置于该些闸极上方之该绝缘层上;一第二金属层,配置在该薄膜电晶体阵列基板上,该第二金属层包括复数个源极、复数个汲极、复数条资料配线以及复数个第二储存电容金属层,其中该些源极与该些汲极配置于该些闸极上方之该些通道层两侧,且该些资料配线与该些扫描配线系构成复数个画素区域,而该些第二储存电容金属层与该些第一储存电容金属层系互相重叠,以与该绝缘层组成该些储存电容器,且该些闸极、该些通道层、该些源极以及该些汲极系组成复数个薄膜电晶体;一介电层,配置于该第一金属层、该绝缘层以及该第二金属层上,其中该介电层具有复数个第二开口以及复数个第三开口,而该些第二开口大致暴露出该些第一开口上方的该些第二储存电容金属层、该些第三开口则暴露出该些薄膜电晶体的该些源极;复数个画素电极,配置于该些画素区域中,其中该些画素电极系藉由该些第二开口分别与该些第二储存电容金属层电性连接以及藉由该些第三开口与对应之该些薄膜电晶体之该些源极电性连接;以及复数个彩色滤光薄膜,配置于该些第二开口以外的该些画素区域上;一对向基板,相对于该薄膜电晶体阵列基板配置,该对向基板具有一共用电极;以及一液晶层,位于该对向基板与该薄膜电晶体阵列基板之间。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体液晶显示面板,其中该些彩色滤光薄膜包括红色滤光薄膜、绿色滤光薄膜以及蓝色滤光薄膜。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体液晶显示面板,其中该些第一储存电容金属层包括该些扫描配线。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体液晶显示面板,其中该些第一储存电容金属层包括共用配线。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体液晶显示面板,更包括一光间隔物位于该薄膜电晶体阵列基板与该对向基板之间。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体液晶显示面板,更包括一配向膜位于该薄膜电晶体阵列基板与该液晶层之间。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体液晶显示面板,更包括一配向膜位于该对向基板与该液晶层之间。一种薄膜电晶体阵列基板的制作方法,包括:于一基材上形成一第一金属层;图案化该第一金属层,以形成复数条扫描配线、复数个闸极以及复数个第一储存电容金属层,该些第一储存电容金属层具有复数个第一开口;于该基材上形成一闸极绝缘层;在该些闸极上形成一图案化非晶矽层,以形成复数个通道层;于该基材上形成一第二金属层;图案化该第二金属层,以形成复数个源极、复数个汲极、复数条资料配线以及复数个第二储存电容金属层,其中该些源极与该些汲极配置于该些闸极上方之该些通道层两侧,该些资料配线与该些扫描配线系构成复数个画素区域,而该些第二储存电容金属层与该些第一储存电容金属层系互相重叠,以与该绝缘层组成该些储存电容器,且该些闸极、该些通道层、该些源极以及该些汲极系组成复数个薄膜电晶体;于该第一金属层、该绝缘层以及该第二金属层上形成一介电层,其中该介电层具有复数个第二开口以及复数个第三开口,而该些第二开口大致暴露出该些第一开口上方的该些第二储存电容金属层、该些第三开口则暴露出该些薄膜电晶体的该些源极;于该些第二开口以外的该些画素区域内形成复数个彩色滤光薄膜;以及于该基材上形成复数个画素电极,该些画素电极系藉由该些第二开口分别与该些第二储存电容金属层电性连接以及藉由该些第三开口与对应之该些薄膜电晶体之该些源极电性连接。如申请专利范围第12项所述之制作方法,其中于该基材上形成该些画素电极之步骤后,更包括进行一焊接制程,以焊接位于该些第二开口中的该些画素电极与该些第二储存电容金属层。一种薄膜电晶体液晶显示面板的制作方法,包括:提供一薄膜电晶体阵列基板;于该薄膜电晶体阵列基板上形成一第一金属层;图案化该第一金属层,以形成复数条扫描配线、复数个闸极以及复数个第一储存电容金属层,该些第一储存电容金属层具有复数个第一开口;于该薄膜电晶体阵列基板上形成一闸极绝缘层;在该些闸极上形成一图案化非晶矽层,以形成复数个通道层;于该基材上形成一第二金属层;图案化该第二金属层,以形成复数个源极、复数个汲极、复数条资料配线以及复数个第二储存电容金属层,其中该些源极与该些汲极配置于该些闸极上方之该些通道层两侧,该些资料配线与该些扫描配线系构成复数个画素区域,而该些第二储存电容金属层与该些第一储存电容金属层系互相重叠,以与该绝缘层组成该些储存电容器,且该些闸极、该些通道层、该些源极以及该些汲极系组成复数个薄膜电晶体;于该第一金属层、该绝缘层以及该第二金属层上形成一介电层,其中该介电层具有复数个第二开口以及复数个第三开口,而该些第二开口大致暴露出该些第一开口上方的该些第二储存电容金属层、该些第三开口则暴露出该些薄膜电晶体的该些源极;于该些第二开口以外的该些画素区域内形成复数个彩色滤光薄膜;以及于该薄膜电晶体阵列基板上形成复数个画素电极,该些画素电极系藉由该些第二开口分别与该些第二储存电容金属层电性连接以及藉由该些第三开口与对应之该些薄膜电晶体之该些源极电性连接;提供一对向基板,相对于该薄膜电晶体阵列基板配置,其中该对向基板具有一共用电极;以及于该对向基板与该薄膜电晶体阵列基板之间形成一液晶层。如申请专利范围第14项所述之制作方法,其中于该薄膜电晶体阵列基板上形成该些画素电极之步骤后,更包括进行一焊接制程,以焊接位于该些第二开口中的该些画素电极与该些第二储存电容金属层。一种薄膜电晶体阵列基板的制作方法,包括:于一基材上形成一第一金属层,该第一金属层包括复数条扫描配线、复数个闸极以及复数个第一储存电容金属层,该些第一储存电容金属层具有复数个第一开口;于该基材上形成一绝缘层,覆盖该第一金属层;于该些闸极上方之该绝缘层上形成复数个通道层;于该基材上形成一第二金属层,该第二金属层包括复数个源极、复数个汲极、复数条资料配线以及复数个第二储存电容金属层,其中该些源极与该些汲极配置于该些闸极上方之该些通道层两侧,且该些资料配线与该些扫描配线系构成复数个画素区域,而该些第二储存电容金属层与该些第一储存电容金属层系互相重叠,以与该绝缘层组成该些储存电容器,且该些闸极、该些通道层、该些源极以及该些汲极系组成复数个薄膜电晶体;于该第一金属层、该绝缘层以及该第二金属层上形成一介电层,其中该介电层具有复数个第二开口以及复数个第三开口,而该些第二开口大致暴露出该些第一开口上方的该些第二储存电容金属层、该些第三开口则暴露出该些薄膜电晶体的该些源极;于该些画素区域中形成复数个画素电极,其中该些画素电极系藉由该些第二开口分别与该些第二储存电容金属层电性连接以及藉由该些第三开口与对应之该些薄膜电晶体之该些源极电性连接;以及于该些第二开口以外的该些画素区域上形成复数个彩色滤光薄膜。如申请专利范围第16项所述之制作方法,其中该些彩色滤光薄膜包括红色滤光薄膜、绿色滤光薄膜以及蓝色滤光薄膜。如申请专利范围第16项所述之制作方法,其中该些第一储存电容金属层包括该些扫描配线。如申请专利范围第16项所述之制作方法,其中该些第一储存电容金属层包括共用配线。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科学路160号