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Oblea epitaxial de semiconductor compuesto y su método de fabricación, en el que una primera capa intermedia de silicio (52) se deposita en un sustrato de metal (51), una segunda capa intermedia de semiconductor compuesto (53) se deposita en la primera capa intermedia de silicio, una tercera capa intermedia de semiconductor compuesto (54) se deposita en la segunda capa intermedia de semiconductor compuesto, la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto (55) se cristaliza en la tercera capa intermedia de semiconductor compuesto y se aplica un primer tratamiento térmico, la segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (56) se cristaliza en la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto y, finalmente, se aplica un segundo tratamiento térmico para obtener una oblea de semiconductor compuesto (50) de buena calidad.
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