| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus (a) einem n-dotierten Halbleitersubstrat, insbesondere aus Silizium, das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche hat, mit einem in der ersten Hauptoberfläche ausgebildeten n+-Bereich, Front Surface Field, und einem in der zweiten Hauptoberfläche durch Dotierung mit Aluminium ausgebildeten p+-Emitter, oder (b) einem p-dotierten Substrat, insbesondere Silizium, mit einem auf der ersten Hauptseite ausgebildeten n+-Emitter und einem in der zweiten Hauptfläche durch Dotierung mit Aluminium ausgebildeten p+-Bereich, d. h. einem Back Surface Field, wobei jeweils die Dotierung mit Aluminium durch Diffusion des Aluminiums aus einer auf die zweite Hauptoberfläche aufgebrachten aluminiumhaltigen Quellschicht ausgeführt wird derart, dass das Al-Konzentrationsprofil von der zweiten Hauptoberfläche ausgehend in das Halbleitersubstrat hinein im Wesentlichen einen Verlauf hat, bei dem die höchste Al-Konzentration an der oder unmittelbar benachbart zur zweiten Hauptoberfläche vorliegt.</p> |
