发明名称 一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚
摘要 本发明公开了一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚,坩埚的底部的外壁为方形结构,坩埚的底部内壁为倒金字塔结构。本发明的坩埚有利于硅熔体在初始形核阶段形成尽可能少的晶核,并有效改善坩埚内部的热场,生长出高质量的大晶粒的铸造多晶硅。
申请公布号 CN101935868A 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN201010284751.2 申请日期 2010.09.17
申请人 浙江大学 发明人 余学功;肖承全;杨德仁
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 唐柏松
主权项 一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚,其特征在于:所述坩埚的底部的外壁为方形结构,所述坩埚的底部内壁为若干个连续的倒金字塔结构。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号