发明名称 | 一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚,坩埚的底部的外壁为方形结构,坩埚的底部内壁为倒金字塔结构。本发明的坩埚有利于硅熔体在初始形核阶段形成尽可能少的晶核,并有效改善坩埚内部的热场,生长出高质量的大晶粒的铸造多晶硅。 | ||
申请公布号 | CN101935868A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
申请号 | CN201010284751.2 | 申请日期 | 2010.09.17 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 余学功;肖承全;杨德仁 |
分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 唐柏松 |
主权项 | 一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚,其特征在于:所述坩埚的底部的外壁为方形结构,所述坩埚的底部内壁为若干个连续的倒金字塔结构。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |