| 发明名称 | Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的制造方法、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体荧光体的制造方法、以及六方晶Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 | ||
| 摘要 | 本发明提供以工业规模稳定地制造高纯度的II-VI族化合物半导体的方法，以及易于掺杂金属等的六方晶结构的II-VI族化合物半导体。还提供II-VI族化合物半导体荧光体的制造方法。通过在硫中使金属电极间进行脉冲等离子体放电而生成II-VI族化合物半导体，从而制造II-VI族化合物半导体的方法；利用了脉冲等离子体放电的II-VI族化合物半导体荧光体的制造方法；具有多个双晶的六方晶II-VI族化合物半导体，可以解决上述课题。 | ||
| 申请公布号 | CN101939260A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200980104249.4 | 申请日期 | 2009.02.05 |
| 申请人 | 国立大学法人熊本大学;株式会社可乐丽 | 发明人 | 真下茂;欧姆扎克·乌鲁·埃米尔;冈本真人;岩崎秀治 |
| 分类号 | C01G9/08(2006.01)I;C09K11/08(2006.01)I;C09K11/56(2006.01)I;C25B1/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G9/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种II‑VI族化合物半导体的制造方法，其特征在于，该II‑VI族化合物半导体的制造方法在硫化剂或含有硫化剂的液体中使金属电极间进行脉冲等离子体放电，从而生成II‑VI族化合物半导体。 | ||
| 地址 | 日本熊本县 | ||