发明名称 |
接触孔填充方法 |
摘要 |
一种接触孔填充方法,包括:提供一个表面具有至少一个接触孔开口的衬底;在接触孔的侧壁和衬底表面形成阻挡层;在阻挡层表面形成第一金属层,所述第一金属层的金属晶粒尺寸小于0.2微米;在第一金属层表面形成第二金属层,直至填充所述接触孔。本发明能够使得接触孔填充的金属阶梯覆盖性比较好,减小了接触孔的电阻,提高了接触孔性能。 |
申请公布号 |
CN101937864A |
申请公布日期 |
2011.01.05 |
申请号 |
CN200910054397.1 |
申请日期 |
2009.07.03 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
聂佳相;何伟业;刘盛;孔祥涛 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种接触孔填充方法,包括:提供一个表面具有至少一个接触孔开口的衬底;在接触孔的侧壁和衬底表面形成阻挡层;其特征在于,还包括:在阻挡层表面形成第一金属层,所述第一金属层的金属晶粒尺寸小于0.2微米;在第一金属层表面形成第二金属层,直至填充所述接触孔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |