| 发明名称 | 化学气相沉积法用材料和含硅绝缘膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种化学气相沉积法用材料，其含有下述通式(1)表示的有机硅烷化合物。(式中，R1和R2相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基或苯基；R3和R4相同或不同，表示碳原子数1～4的烷基、乙酰基或苯基；m表示0～2的整数；n表示1～3的整数)。 | ||
| 申请公布号 | CN101939465A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200980104520.4 | 申请日期 | 2009.03.24 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 中川恭志;野边洋平;郑康巨;齐藤隆一;小久保辉一 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01)I;C08G77/50(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 左嘉勋;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种化学气相沉积法用材料，含有下述通式(1)表示的有机硅烷化合物，<img file="FPA00001190326300011.GIF" wi="535" he="475" />式中，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基或苯基；R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>相同或不同，表示碳原子数1～4的烷基、乙酰基或苯基；m和m’相同或不同，表示0～2的整数；n表示1～3的整数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||