发明名称 | 利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置,包括将含有含硅气源和惰性气体的混合气体输入到等离子体腔中,在真空条件下,激发等离子体腔中的气体,使含硅气源转化形成硅纳米颗粒,硅纳米颗粒被气流携带出等离子体腔后通过收集器收集。本发明方法可以在硅纳米颗粒的制备过程中使用高功率的等离子体,同时尽量避免了硅纳米颗粒在等离子体腔体内壁上的沉积和改善了在气相中对硅纳米颗粒的收集。本发明使硅纳米颗粒的制备达到了规模化生产的要求。 | ||
申请公布号 | CN101559946B | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
申请号 | CN200910098051.1 | 申请日期 | 2009.04.27 |
申请人 | 浙江大学;韩庆荣 | 发明人 | 皮孝东;杨德仁;韩庆荣 |
分类号 | C01B33/021(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 一种利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法,包括将含有含硅气源和惰性气体的混合气体输入到等离子体腔中,在真空条件下,激发等离子体腔中的混合气体,使含硅气源转化形成硅纳米颗粒,硅纳米颗粒被气流携带出等离子体腔后通过收集器收集,其特征在于:在等离子体腔的外壁设置热源对等离子体腔进行加热,使等离子体腔内产生垂直于气体流动方向的温度梯度;所述的惰性气体至少有一部分独立地沿等离子体腔内壁被连续输入等离子体腔中,在等离子体腔内壁形成惰性气体保护层;通过所述的热源将等离子体腔的外壁加热至50~500℃。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |