| 发明名称 | 金/硅共晶芯片键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种直接金/硅共晶芯片键合方法，该方法包括芯片键合区镀金，将晶片研磨到所需要的厚度，研磨步骤后的晶片切割，拾取芯片，和在高于金/硅共晶温度的温度下将芯片附贴到芯片键合区的各个步骤。对于较薄的晶片采用研磨前切割工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101192551B | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200710187345.2 | 申请日期 | 2007.11.20 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 刘凯;孙明 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 徐雯琼 |
| 主权项 | 一种将芯片键合到引线框架上的直接金/硅共晶芯片键合方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：引线框架的芯片键合区镀金；将其上有若干芯片的晶片研磨到所需要的厚度；研磨步骤后切割晶片；拾取所述的若干芯片中的一个；和在高于金/硅共晶温度的温度下将芯片的一裸露硅表面直接附贴到引线框架的芯片键合区。 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 | ||