一种磁场测量用巨霍尔效应薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种磁场测量用巨霍尔效应薄膜材料，其为多层膜结构，每层  膜  的  厚  度  为  纳  米  级  ； 其  结  构  通  式  是  ：Fe(anm)/Pt(bnm)/[Co0.9Fe0.1(0.3nm)/Pt(1.2nm)]3/Fe(anm)/Pt(bnm)；其中a＝0.4～0.5，b＝0.4～0.8。所述的薄膜材料在薄膜的法线方向上加磁场时，霍尔电阻率与磁场之间具有非常好的线性，可供使用的动态工作范围可以调节，同时霍尔灵敏度达到了非常高的水平。本发明材料是采用直流磁控溅射方法，依次将薄膜材料的各层膜溅射沉积到基片上制备而得，具有工艺简单、安全、制备成本低以及可与现有的芯片微加工工艺进行集成的优点，适合大规模工业化生产。

主权项

一种磁场测量用巨霍尔效应薄膜材料，其特征在于：为多层膜结构，每层膜的厚度为纳米级；其结构通式是：Fe(a nm)/Pt(b nm)/[Co0.9Fe0.1(0.3nm)/Pt(1.2nm)]3/Fe(a nm)/Pt(b nm)；其中a＝0.4～0.5，b＝0.4～0.8。