发明名称 一种混晶结构的二氧化钛纳米棒阵列的电极的制备方法
摘要 本发明涉及一种混晶结构的二氧化钛纳米棒阵列电极的制备方法,包括:用砂纸对钛箔表面进行打磨,然后依次用丙酮、异丙醇、乙醇和蒸馏水各自超声洗涤;将上述处理后的钛箔浸入过氧化氢水溶液中,在50~80℃保温48~72小时;将经步骤(2)处理后的钛箔,用蒸馏水冲洗,然后煅烧得到表面具有混晶结构二氧化钛纳米棒阵列的电极。本发明方法简单,无需特殊设备,成本低,适合于工业化生产;所得的二氧化钛具有锐钛矿、金红石两种晶相,纳米棒阵列排列整齐,规整性好。
申请公布号 CN101935015A 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN201010216564.0 申请日期 2010.06.29
申请人 东华大学 发明人 王宏志;穆庆辉;李耀刚;张青红
分类号 B82B3/00(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;C01G23/053(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人 黄志达;谢文凯
主权项 一种混晶结构的二氧化钛纳米棒阵列的电极的制备方法,包括:(1)用砂纸对钛箔表面进行打磨,然后依次用丙酮、异丙醇、乙醇和蒸馏水超声洗涤;(2)将上述处理后的钛箔浸入过氧化氢水溶液中,在50~80℃保温48~72小时;(3)将经步骤(2)处理后的钛箔,用蒸馏水冲洗,然后煅烧得到表面具有混晶结构二氧化钛纳米棒阵列的电极。
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