禹式高防护可控硅控制电路

摘要

本实用新型涉及一种禹式高防护可控硅控制电路，包括电源POWER、熔断器FU、电容C、电阻R1和负载L相连构成的串联电路及取样电路、触发电路、可控硅，取样电路并联在电容C和电阻R1的串联电路上，可控硅B的两个阳极分别和取样电路的两端并接，可控硅B的控制极g和一个阳极分别与控制光耦A的两个输出脚相连，控制光耦A的一个输出脚经电阻R3和可控硅B的控制极g相连，触发电路的一端连接到取样电路上，触发电路的另一端与控制光耦A和电阻R3的并接点相连。本实用新型将防堵和疏导相结合，当冲击的能量超出常规电路的防堵保护能力时，会触发可控硅主动导通，从而确保可控硅不被击穿，保证了工业负载控制系统的正常使用。

主权项

一种禹式高防护可控硅控制电路，包括电源POWER、熔断器FU、电容C、电阻R1和负载L相连构成的串联电路，取样电路（1）并联在电容C和电阻R1的串联电路上，可控硅B的两个阳极分别和所述的取样电路（1）的两端并接，可控硅B的控制极g和一个阳极分别与控制光耦A的两个输出脚相连，其特征在于还包括一个触发电路（2），所述的控制光耦A的一个输出脚经电阻R3和可控硅B的控制极g相连，所述的触发电路（2）的一端连接到所述的取样电路（1）上，触发电路（2）的另一端与控制光耦A和电阻R3的并接点相连。