| 发明名称 | 双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，该方法包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上依次生长缓冲层、下包层、亚集电极层、集电极层、基极层、量子阱有源区层、发射极层、上包层以及接触层；步骤3：制作该单片集成器件的激光器单元；步骤4：制作该单片集成器件的晶体管单元。利用本发明，由于激光器与双极型晶体管具有相同的材料结构以及制作工艺，所以大大简化了该种类型光电单片集成器件的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN101937873A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201010269026.8 | 申请日期 | 2010.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 梁松;朱洪亮;王圩 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上依次生长缓冲层、下包层、亚集电极层、集电极层、基极层、量子阱有源区层、发射极层、上包层以及接触层；步骤3：制作该单片集成器件的激光器单元；步骤4：制作该单片集成器件的晶体管单元。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||