互补金氧半晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种互补金氧半晶体管及其制作方法，包括下列步骤。首先，于基板上形成第一栅极与第二栅极，接着，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖第一栅极与第二栅极。之后，于栅绝缘层上形成第一源极、第一漏极、第二源极与第二漏极，第一源极与第一漏极位于第一栅极上方，而第二源极与第二漏极位于第二栅极上方。接着，于栅绝缘层上形成第一通道层以及掩模层，掩模层位于第一通道层上，而第一通道层位于第一栅极上方，并与第一源极及第一漏极接触。之后，于栅绝缘层上形成第二通道层，其中第二通道层位于第二栅极上方，并与第二源极及第二漏极接触。

主权项

一种互补金氧半晶体管的制作方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一第一栅极与一第二栅极；于该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该第一栅极与该第二栅极；于该栅绝缘层上形成一第一源极、一第一漏极、一第二源极与一第二漏极，其中该第一源极与该第一漏极位于该第一栅极上方，该第二源极与该第二漏极位于该第二栅极上方；于该栅绝缘层上形成一第一通道层以及一掩模层，其中该掩模层位于该第一通道层上，而该第一通道层位于该第一栅极上方，并与该第一源极以及该第一漏极接触；以及于该栅绝缘层上形成一第二通道层，其中该第二通道层位于该第二栅极上方，并与该第二源极以及该第二漏极接触。