利用腔室内部表面上的纯硅或近乎纯硅处理层进行的等离子体浸没式离子注入法

摘要

通过在晶片引入之前，首先在内部腔室表面上沉积部分导电的含硅处理层，来执行等离子体浸没式离子注入，该等离子体浸没式离子注入利用静电夹盘上的非常高的射频偏置电压，以达到需要的注入深度剖面。

主权项

一种在等离子体反应器腔室中的半导体工件上执行等离子体浸没式离子注入的方法，其包括：在将所述工件引入所述反应器之前，在所述腔室的内部表面上沉积部分导电的处理膜，所述处理膜包括硅、氧及氢且硅含量在70％与85％之间；通过将静电钳位电压施于电极，将所述工件静电夹紧在所述反应器腔室中的工件支撑表面上，所述电极位于所述工件支撑表面之下且与其绝缘；通过将来自射频源功率产生器的射频等离子体源功率耦接至含有将被离子注入在所述工件中的物质的工艺气体，在所述腔室中自所述工艺气体产生等离子体；将来自射频偏置功率产生器的射频偏置功率施加于碟形电极，所述电极位于所述工件之下并与其绝缘，且具有位于所述工件的周围边缘之下的周围边缘，所述射频偏置功率足以在所述工件上产生5‑20千伏的量级的高射频偏置电压，其对应于在将要注入所述物质的所述工件表面下的所需离子注入深度剖面，其中所述静电钳位电压在所述射频偏置电压的直流分量的量级或超过此量级；及通过关闭所述钳位电压，等待所述工件透过覆盖所述工件支撑表面的所述处理膜的一部分放电，以及其后自所述工件支撑表面提升所述工件，来移除所述工件。