| 发明名称 | 氮化物半导体激光器及晶片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光器及晶片。该氮化物半导体激光器的电容减小以具有更好的响应。氮化物半导体激光器包括有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101938085A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201010219685.0 | 申请日期 | 2010.06.29 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 谷健太郎;谷善彦;川上俊之 |
| 分类号 | H01S5/30(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;G11B7/125(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体激光器，包括：有源层；上覆层，层叠在所述有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在所述上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在所述低介电常数绝缘膜之上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||