| 发明名称 | 半导体芯片及其制造方法、堆叠模块和存储卡 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101937892A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201010108463.1 | 申请日期 | 2010.01.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李镐珍;张东铉;李仁荣;尹玟升;黄善宽 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/482(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;薛义丹 |
| 主权项 | 一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：基底，包括第一表面和面对第一表面的第二表面；至少一个通孔，包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分；至少一个通孔电极，填充所述至少一个通孔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||