Wafer-Level-gekapselte integrierte MEMS-Schaltung

摘要

Eine Wafer-Level-gekapselte integrierte Schaltung enthält ein Halbleitersubstrat mit einer ersten Siliziumschicht. Ein MEMS-Bauelement ist in die erste Siliziumschicht integriert. Ein über Dünnfilmtechnik abgeschiedenes Abdichtglied ist über der ersten Siliziumschicht abgeschieden und ist konfiguriert, einen Hohlraum in der ersten Siliziumschicht abzudichten. Mindestens eine zusätzliche Schicht ist über dem Abdichtglied ausgebildet. Mindestens eine UBM ist über der mindestens einen zusätzlichen Schicht ausgebildet.