发明名称 灯寿终保护电路
摘要 本实用新型公开的灯寿终保护电路,包括一只微触发可控硅、六只电阻、两只电容和两只二极管组成;微触发可控硅由一只NPN晶体管和一只PNP晶体管组成。由于NPN晶体管和PNP晶体管的放大系数不同,会使饱和速度产生误差,由于误差较小可以忽视,另外NPN晶体管(Q3)和PNP晶体管(Q4)组成的可控硅饱和电流小,当交流电子镇流器在灯寿终保护后(即保护待机时)的耗电减小;本实用新型应用在交流电子镇流器中,当灯寿终出现全整流现象及灯管不激活时,使交流电子镇流器进入自我保护状态,并且可以在带电状态下更换灯管,灯管换后仍可点燃,实现了无需要切断电源后再重新启动的过程,使用方便。
申请公布号 CN201700071U 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN201020206857.6 申请日期 2010.05.28
申请人 杨建华 发明人 杨建华
分类号 H05B41/14(2006.01)I 主分类号 H05B41/14(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种灯寿终保护电路,用于交流电子镇流器中,其特征在于,包括一只微触发可控硅,该可控硅由一只NPN晶体管(Q3)和一只PNP晶体管(Q4)组成,NPN晶体管(Q3)的集电极与PNP晶体管(Q4)的基极相连,PNP晶体管(Q4)的集电极与NPN晶体管(Q3)的基极相连;所述的NPN晶体管(Q3)基极输入交流电子镇流器中的LC谐振点灯电路产生的高电压做为灯寿终保护误差信号,被放大的NPN晶体管(Q3)集电极信号送入PNP晶体管(Q4),被放大的PNP晶体管(Q4)集电极信号与误差信号合成,同时输入至NPN晶体管(Q3)基极,使Q3饱和,Q3集电极输出低电位,将半桥逆变单元电路下臂晶体管关断。
地址 518001 广东省深圳市罗湖区桂园路48号6栋501