改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构和方法

摘要

本发明是一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构及方法，其特征是在发射区有平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻，改善发射结电压的一致性，从而改善发射区电流集边效应；发射区薄层分布电阻是由掺杂多晶硅形成的，通过控制构成发射区窗口的二氧化硅厚度、二氧化硅侧向钻蚀深度来获得所需的掺杂多晶硅电阻的阻值。优点：在发射区中引入平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，当发射区电流流经该分布电阻时，产生的电压降可以补偿基极电流在内基区电阻上的电压降，减小发射结不同位置的电压降的差异，改善电流集边效应，扩大发射结的有效工作面积，提升芯片单位面积微波输出功率。

主权项

一种改善微波功率晶体管发射区电流集边效应的结构，其特征是在发射区有平行于硅衬底表面和发射结的多晶硅薄层分布电阻，用以平衡发射区下方基区分布电阻，改善发射结电压的一致性，从而改善发射区电流集边效应；发射区薄层分布电阻是由掺杂多晶硅形成的。