| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Formgebung eines Randbereiches eines Wafers mit den Verfahrensschritten:
(a) Ein Wafer mit einer ersten und einer zweiten Oberfläche wird bereitgestellt;
(b) Auf einen inneren Bereich der ersten Oberfläche wird mindestens eine Schicht aufgebracht, so dass zumindest ein Teil eines Randbereiches auf der ersten Oberfläche von der mindestens einen Schicht unbedeckt bleibt;
(c) Der Randbereich des Wafers wird so lange abgetragen, bis sämtliche Randbereiche auf der ersten Oberfläche von der mindestens einen Schicht bedeckt sind;
(d) Der Wafer wird von der zweiten Oberfläche her bis zu einer vorgegebenen Dicke dünn geschliffen.</p> |
