发明名称 | 具有交替电磁场的矩形平面磁控靶 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶,涉及溅射镀膜设备技术领域,包括靶材本体,其特征在于:还包括磁体,所述磁体设置在靶材本体的上部,所述磁体包含两组电磁铁,两组电磁铁相互交叉设置。本发明解决了现有技术矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性,造成靶材利用率较低,靶材利用率在30%左右,同时永磁体磁性稳定性较差的问题,本发明提供了一种结构简单,使用方便,能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶。靶材利用率可提升到65%左右,降低了靶材成本,延长换靶周期降低停机时间。同时本发明采用电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象,能够稳定产品的品质,节约了成本。 | ||
申请公布号 | CN101935822A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
申请号 | CN201010168812.9 | 申请日期 | 2010.05.11 |
申请人 | 赫得纳米科技(昆山)有限公司 | 发明人 | 黄国兴 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人 | 董建林 |
主权项 | 一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶,包括靶材本体,其特征在于:还包括磁体,所述磁体设置在靶材本体的上部,所述磁体包含两组电磁铁,两组电磁铁相互交叉设置。 | ||
地址 | 215300 江苏省昆山市城北都市路21号 |