| 发明名称 | 一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101935869A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201010284947.1 | 申请日期 | 2010.09.17 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杨德仁;肖承全;余学功 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 唐柏松 |
| 主权项 | 一种用于生长铸造单晶硅的坩埚，其特征在于：所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||