发明名称 由萘嵌苯(rylene)-(π-受体)共聚物制备的半导体材料
摘要 本发明公开了由萘嵌苯-(π-受体)共聚物制备的新型半导体材料。这种共聚物可显示高n型载流子迁移率和/或良好电流调制特性。另外,本教导的聚合物可具有某些加工优点,例如溶液可加工性和/或在环境条件下的良好稳定性。
申请公布号 CN101939352A 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN200980104292.0 申请日期 2009.02.05
申请人 巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司 发明人 A·法凯蒂;陈志华;颜河;吕少峰;T·J·马克斯;郑焱;M·卡斯特勒;S·瓦伊迪耶纳森;F·多茨;S·克勒
分类号 C08G61/12(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01B1/12(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 刘金辉;林柏楠
主权项 1.一种下式的聚合物:<img file="FPA00001189634600011.GIF" wi="555" he="126" />其中:M<sub>1</sub>为选自如下的任选取代的芳族酰亚胺:<img file="FPA00001189634600012.GIF" wi="1193" he="586" />其中:R<sup>1</sup>每次出现时独立地选自H、C<sub>1-40</sub>烷基、C<sub>2-40</sub>烯基、C<sub>1-40</sub>卤代烷基和1-4环结构部分,其中:C<sub>1-40</sub>烷基、C<sub>2-40</sub>烯基和C<sub>1-40</sub>卤代烷基各自可任选由1-10个取代基取代,所述取代基独立地选自卤素、-CN、NO<sub>2</sub>、OH、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1-20</sub>烷基)、-N(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>OH、-CHO、-C(O)-C<sub>1-20</sub>烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC<sub>1-20</sub>烷基、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH-C<sub>1-20</sub>烷基、-C(O)N(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>、-OC<sub>1-20</sub>烷基、-SiH<sub>3</sub>、-SiH(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>、-SiH<sub>2</sub>(C<sub>1-20</sub>烷基)和-Si(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>3</sub>;C<sub>1-40</sub>烷基、C<sub>2-40</sub>烯基和C<sub>1-40</sub>卤代烷基各自可经由任选连接基共价键接在酰亚胺氮原子上;且1-4环结构部分各自可相同或不同,可相互共价键接或经由任选连接基共价键接在酰亚胺氮上,以及可任选由1-5个取代基取代,所述取代基独立地选自卤素、氧代、-CN、NO<sub>2</sub>、OH、=C(CN)<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1-20</sub>烷基)、-N(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>、-S(O)<sub>2</sub>OH、-CHO、-C(O)OH、-C(O)-C<sub>1-20</sub>烷基、-C(O)-OC<sub>1-20</sub>烷基、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH-C<sub>1-20</sub>烷基、-C(O)N(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>、-SiH<sub>3</sub>、-SiH(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>、-SiH<sub>2</sub>(C<sub>1-20</sub>烷基)、-Si(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-20</sub>烷基、-O-C<sub>1-20</sub>烯基、-O-C<sub>1-20</sub>卤代烷基、C<sub>1-20</sub>烷基、C<sub>1-20</sub>烯基和C<sub>1-20</sub>卤代烷基;且π-1和π-1’为选自如下的任选取代的稠环结构部分:<img file="FPA00001189634600021.GIF" wi="737" he="529" />其中a<sup>o</sup>为0或1;M<sub>2</sub>为包含一个或多个任选取代的多环结构部分的重复单元且具有选自如下的式:<img file="FPA00001189634600022.GIF" wi="1885" he="180" />其中:π-2每次出现时独立地为任选取代的多环结构部分;且Z每次出现时独立地为线性共轭连接基;且n为2-5,000的整数;条件是聚合物不具有下式的重复单元:<img file="FPA00001189634600023.GIF" wi="813" he="876" />
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