深沟槽超级PN结结构及其形成方法

摘要

本发明的实施例提出一种深沟槽超级PN结结构，包括：沉积在衬底上的单一厚外延层；形成在单一厚外延层中的深沟槽，深沟槽的特征尺寸为0.4微米-6微米，深度为10微米-80微米，角度为80度-90度；形成在深沟槽中的沿深沟槽方向的超级PN结，超级PN结为重掺杂的多晶硅；填充在深沟槽中的氧化层。根据本发明的实施例，该结构不但可以有效地提高功率MOS管的击穿电压，大幅降低功率MOS管的导通电阻，并且工艺简单，工艺可控性好。该结构避免了传统Super Junction工艺中的多次光刻，离子注入，推进以及外延生长，有效降低了制造成本，并且克服了传统Super Junction接合面不均匀的缺点。

主权项

一种深沟槽超级PN结结构，其特征在于，包括：沉积在衬底上的单一厚外延层；形成在所述单一厚外延层中的深沟槽，所述深沟槽的特征尺寸为0.4微米‑6微米，深度为10微米‑80微米，角度为80度‑90度；形成在所述深沟槽中的沿深沟槽方向的超级PN结，所述超级PN结为重掺杂的多晶硅；填充在所述深沟槽中的氧化层。