发明名称 集成芯片及其装置、以及制备微米级分散体的方法
摘要 本发明公开了一种集成芯片、一种采用该芯片的装置和一种制备微米级分散体的方法,该集成芯片的基质为表面亲水性基质;以两层相邻结构为一组结构,集成芯片包括至少一组结构;在一组结构中,第一层结构设置M级梯度,第二层结构设置N级梯度;M、N是自然数,M小于N;各级梯度中,第一级梯度设置H1个通道1,第二级梯度从每个通道1中引出H2个分支,形成H1×H2个通道2,以此类推,第N级梯度从每个通道(N-1)中引出HN个分支,形成H1×H2......×HN个通道N。在远离各通道M的一侧,分别设置一收集通道;集成芯片还包括至少一与各收集通道的输出端相连接的收集槽,用于收集和导出产物。本发明的产率非常高,在大规模化生产造影剂方面具有绝对的优势。
申请公布号 CN101474541B 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN200810241260.2 申请日期 2008.12.16
申请人 深圳先进技术研究院 发明人 郑海荣;姜春香;靳巧峰;王战会
分类号 B01F3/04(2006.01)I;B01F5/06(2006.01)I;A61K49/22(2006.01)I 主分类号 B01F3/04(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 曾旻辉
主权项 一种集成芯片,其特征在于,以两层相邻结构为一组结构,所述集成芯片包括至少一组结构;在一组结构中,第一层结构设置M级梯度,第二层结构设置N级梯度;其中,M、N是自然数,M小于N;各级梯度中,第一级梯度设置H1个通道1,第二级梯度从每个通道1中引出H2个分支,形成H1×H2个通道2,以此类推,第N级梯度从每个通道(N‑1)中引出HN个分支,形成H1×H2......×HN个通道N;在一组结构中,对于第一层结构的任一特定通道M,均对应于第二层结构从一通道M所引出的在第N级梯度形成H(M+1)×H(M+2)......×H(N‑1)×HN数量的特定通道N;其中,各特定通道N的出口,等距分布在一预设置半径圆形的圆周;对于该特定通道M,其输出方向垂直于该圆形,其出口与该圆形的垂线通过该圆形的圆心,该特定通道M的出口与该圆心距离一特定长度;各特定通道N的输出方向与所述垂线的夹角为相同锐角或直角;沿该特定通道M的输出方向,在该圆形远离该特定通道M的一侧,设置一收集通道;所述集成芯片还包括至少一与各收集通道的输出端相连接的收集槽,用于收集和导出产物。
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