发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种有防水性且可靠性高的半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上依次形成剥离层、无机绝缘层、包括有机化合物层的元件形成层;将剥离层和无机绝缘层剥离或者将衬底和无机绝缘层剥离;将无机绝缘层的一部分或无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉来至少使无机绝缘层分离得成为多个部分,并在分离了的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多;以及将有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多层叠的区域分割。 |
申请公布号 |
CN1976011B |
申请公布日期 |
2011.01.05 |
申请号 |
CN200610163787.9 |
申请日期 |
2006.12.04 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山田大干 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
浦柏明;王勇 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,它包括如下步骤:在衬底上形成剥离层;在所述剥离层上形成无机绝缘层;在所述无机绝缘层上形成包括有机化合物层的元件形成层;将第一柔性衬底贴在所述元件形成层上;将所述衬底去掉以使所述无机绝缘层露出;将所述无机绝缘层的一部分去掉以将所述无机绝缘层分离得成为多个部分,并且使所述元件形成层的所述有机化合物层的一部分露出;将第二柔性衬底贴在所述分离了的无机绝缘层以及所述元件形成层的所述有机化合物层的露出部分上;以及将所述第一柔性衬底、所述元件形成层以及所述第二柔性衬底层叠的区域切断。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |