发明名称 半导体存储装置的数据对齐电路和方法
摘要 一种半导体存储装置的数据对齐电路,包括:数据选通时钟相位控制块,配置为响应于选通延迟码,控制数据选通时钟信号的相位,并产生延迟的选通时钟信号;多个数据相位控制块,配置为响应于数据延迟码,控制输入数据的相位,并产生延迟的数据;多个数据对齐块,配置为响应于所述延迟的选通时钟信号,锁存所述延迟的数据,并产生锁存的数据和对齐的数据;以及延迟码发生块,配置为执行确定所述锁存的数据的相位的操作,并产生所述选通延迟码和所述数据延迟码。
申请公布号 CN101937704A 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN201010100881.6 申请日期 2010.01.26
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 郑椿锡;朴起德;俞昌植;李将雨;金洪中
分类号 G11C7/22(2006.01)I 主分类号 G11C7/22(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 郭放;黄启行
主权项 一种半导体存储装置的数据对齐电路,包括:数据选通时钟相位控制块,配置为响应于选通延迟码,控制数据选通时钟信号的相位,并产生延迟的选通时钟信号;多个数据相位控制块,配置为响应于各个数据延迟码,控制各个输入数据的相位,并产生各个延迟的数据;多个数据对齐块,配置为响应于所述延迟的选通时钟信号,锁存所述各个延迟的数据,并产生各个锁存的数据和对齐的数据;以及延迟码发生块,配置为确定所述锁存的数据的相位,并产生所述选通延迟码和所述数据延迟码。
地址 韩国京畿道